由于肖特基二極管具有較小的前向電壓，因此VCC端串入肖特基二極管，也是一種防反接的方法。
VCC端串入肖特基二極管防反接電路圖
根據(jù)原理圖可以看出該種防反接方法較為簡(jiǎn)單。
肖特基二極管參數(shù)的確定
確定肖特基二極管的參數(shù)，需要從以下幾個(gè)方面考慮：
（1）肖特基二極管的正向電流，應(yīng)大于芯片驅(qū)動(dòng)負(fù)載時(shí)的工作電流；
（2）反接時(shí)的反向電壓?jiǎn)栴}；
（3）ISO脈沖的問(wèn)題，如正向（50V）和反向（-150V）脈沖；
（4）負(fù)載短路情況時(shí)，經(jīng)過(guò)肖特基二極管電流問(wèn)題；
（5）工作溫度。
優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)方便，正向電壓低，適用于所有類(lèi)型的負(fù)載。
缺點(diǎn)：成本略高，正向功率較大。
另外，需要注意的是，電源反接時(shí)，負(fù)載電流不會(huì)通過(guò)芯片內(nèi)部功率MOSFET的體二極管，因此，也就不用考慮該方面的功率吸收問(wèn)題。
在GND端也可以通過(guò)串入二極管實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。
GND端串入二極管防反接電路圖
二極管的參數(shù)，主要考慮兩種情況：
（1）正向峰值電流
對(duì)于ISO7637-2：2004(E)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，當(dāng)VCC端出現(xiàn)正向脈沖（50V）時(shí)，二極管的正向峰值電流應(yīng)大于：
[(VPULSE+VBAT)–VCLAMP–VDIODE]/2
例如：
(50V+13.5V–46V–0.7)/2=8.4A
其中，2Ω為產(chǎn)生正向脈沖電壓時(shí)的內(nèi)阻。根據(jù)上述計(jì)算，可以得知，二極管的正向峰值電流應(yīng)滿足8.4A@50usforISO7637-2:2004(E)
(2)反向峰值電壓
當(dāng)VCC端出現(xiàn)負(fù)向脈沖時(shí)，二極管反向峰值電壓應(yīng)滿足：
-100VforISO7637-2:2004(E),-150VforISO7637-2:2011(E)，
根據(jù)上述分析可以，在GND端串入二極管，不能鉗位VCC端的負(fù)向脈沖，也就是說(shuō)該負(fù)向脈沖會(huì)影響到MCUIO和HSD的控制管腳，因此，此間需要串入限流電阻。
優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)方便，成本低。
缺點(diǎn)：僅適用于阻性負(fù)載。
對(duì)于該種防反接保護(hù)電路僅適用于阻性負(fù)載，是因?yàn)楫?dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，在關(guān)閉負(fù)載時(shí)，OUTPUT管腳會(huì)出現(xiàn)負(fù)電壓，該電壓會(huì)拉低GND電壓（有可能呈現(xiàn)負(fù)壓），則HSD的控制引腳對(duì)GND的電壓可能大于開(kāi)啟電壓，導(dǎo)致負(fù)載重新打開(kāi)。因此該種方法，理論上只適用于阻性負(fù)載，而對(duì)應(yīng)于全類(lèi)型負(fù)載的防反接保護(hù)電路，可以對(duì)此方法進(jìn)行改進(jìn)。
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