XXW3012場效應(yīng)管,N+PMOS管XXW3012參數(shù)資料,XXW3012引腳圖,XXW3012中文資料規(guī)格書PDF
XXW3012 TO252-4封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
XXW3012場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：30V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：12A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：10.8W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=10V： Typ 15mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 21mΩ Max 29mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-30V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-12A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：10.8W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-4.1A,VGS=-10V： Typ 35mΩ Max 50mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-3A,VGS=-4.5V：Typ 49mΩ Max 75mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
XXW3012場效應(yīng)管TO252-4L封裝尺寸：
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